SI4477DY-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI4477DY-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2500+ | $0.6762 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 6.6W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | SI4477DY-T1-GE3-ND SI4477DY-T1-GE3TR SI4477DYT1GE3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 20V 26.6A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 26.6A (Tc) |
SI4477DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4477DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
VISHAY SOP-8
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8SO
MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
SI4477DY VISHAY
VISHAY SOP8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4477DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Zielpreis (USD)
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